Den webbläsarversion som du använder rekommenderas inte för den här webbplatsen.
Du bör uppgradera till den senaste versionen av webbläsaren genom att klicka på någon av följande länkar.

Ultrasnabba, energisnåla enheter utrustade med Intel

14-nanometerstransistorer kan förbättra prestandan och minska läckströmmen hos en rad produkter, från mobila enheter till servrar. Intel® 14-nanometersteknik kommer att användas till att tillverka en rad strömsnåla och kraftfulla produkter, såsom servrar, personliga enheter och produkter för Internet of Things. De första systemen baserade på Intel® Core™ M processorn började säljas under julhandeln och följdes av fler produkter från OEM-tillverkare under första halvan av 2015. Ytterligare produkter baserade på 14-nanometersteknik kommer att lanseras under kommande månader. 

Med 2:a generationens 3D tri-gate-transistorer levererar 14-nanometerstekniken toppklassig prestanda, kraft, densitet och kostnad per transistor. Tekniken kommer att användas för att tillverka en rad produkter, från extra kraftfulla till mycket strömsnåla enheter.

Mindre är bättre

Intels 14-nanometersteknik ger en betydligt mindre storlek jämfört med 22 nm. Transistorns fenor är högre, tunnare och ligger tätare vilket ger ökad packningstäthet och minskad kapacitans. Förbättrade transistorer behöver färre fenor vilket ytterligare förbättrar tätheten, och SRAM-cellen är nästan hälften så stor som med 22 nm.

14-nanometerstillverkning

Intels 14-nanometersprocess och första SoC-produkt (system-on-a-chip) har nu godkänts och är i volymtillverkning på fabriker i Oregon (2014), Arizona (2014) och Irland (2015).

Relaterade videoklipp

Relaterat material