Intel® 22-nanometersteknik

Vi presenterar världens första 3D-transistor som skapats för tillverkning i stora volymer

3D, 22 nm: Ny teknik för en oöverträffad kombination av prestanda och energieffektivitet

Intel har infört en helt ny teknik för framtida mikroprocessorfamiljer: 3D-transistorer som tillverkas med 22-nanometersteknik. Med hjälp av de nya transistorerna fortsätter Intel att följa Moores lag och se till att den tekniska utvecklingen fortsätter i samma takt som konsumenterna förväntar sig även under kommande år.

Tidigare var transistorer, mikroprocessorernas kärna, tvådimensionella (plana) enheter. Intel® 3D tri-gate-transistorn, och möjligheten till tillverkning i stora volymer, utgör en dramatisk förändring för datorkretsarnas grundläggande struktur. Läs mer om transistorernas historia.

Detta innebär även att Intel behåller sin ledande ställning inom processorer som används i allt från världens snabbaste superdatorer till handhållna enheter i miniformat.

Mindre är bättre

Transistorns storlek och struktur är avgörande för att slutanvändarna ska få ta del av fördelarna med Moores lag. Ju mindre och mer energieffektiv transistorn är, desto bättre. Intel fortsätter att på ett förutsägbart sätt utveckla sin tillverkningsteknik med en rad innovativa produkter: 45 nm med ”high-k/metal gate” år 2007, 32 nm år 2009, och nu 22 nm med världens första 3D-transistor för tillverkning i stora volymer med början år 2011.

Med en mindre, 3D-transistor kan Intel utforma allt mer kraftfulla processorer med otrolig energieffektivitet. Den nya tekniken möjliggör innovativ mikroarkitektur, system i chipformat (SoC) och nya produkter – från servrar och datorer till smarttelefoner och innovativa konsumentprodukter.

Transistorer i den tredje dimensionen

Intel® 3D tri-gate-transistorn har tre grindar kring kiselkanalen i en 3D-struktur, vilket ger en oöverträffad kombination av prestanda och energieffektivitet. Intel har utformat den nya transistorn så att handhållna enheter, som smarttelefoner och surfplattor, drar mycket mindre ström samtidigt som prestandan ligger i nivå med riktiga topprocessorer.

Processorinnovation på ny nivå

De nya transistorerna är så effektiva vid låg spänning att utvecklingsteamet bakom Intel® Atom™ processorn kan ta sig an 22-nanometers Intel® Atom™ mikroarkitekturen på helt nya sätt. Den nya konstruktionen maximerar särskilt fördelen med den extremt strömsnåla 3D tri-gate-transistortekniken. Intels framtida SoC-produkter baserat på 22-nanometers 3D tri-gate-transistorer kommer dessutom att ha en strömförbrukning i viloläge på under 1 mW, vilket ger möjlighet till otroligt strömsnåla SoC-system.

Intel ligger kvar i täten, till användarnas fördel

3:e generationens Intel® Core™ processor, som lanserades i slutet av 2011, var den första massproducerade kretsen med 3D-transistorer.

Tack vare Intels fortsatta ledande ställning inom produkter för servrar, datorer och handhållna enheter med 22-nanometers 3D-transistorteknik, kan konsumenter och företag förvänta sig snabbare prestanda och grafik liksom längre batteritid i en rad slimmade format.

 

Media Asset with Text Component (RWD)

Relaterade videoklipp

Relaterat material